傳統(tǒng)的真空蒸發(fā)鍍膜法具有較高的沉積速度,轉(zhuǎn)換成的薄膜純度高,但薄膜與板材結(jié)合抗拉強(qiáng)度差,加。離子注入法與板材結(jié)合牢固,表層不容易有粘附開(kāi)裂或掉下來(lái)。卻不知道,離子注入的引入層過(guò)薄,模擬屏數(shù)字屏僅數(shù)百納米材料,在抗磨損工作中情況下應(yīng)用遭到一定限制。

    為了更好地能夠更好地解決真空蒸發(fā)鍍膜法融合能力差以及離子注入法引入層淺的難點(diǎn),把薄膜蒸發(fā)沉積與離子注入技術(shù)性結(jié)合起來(lái),真空蒸發(fā)離子束輔助沉積技術(shù)性。直流屏模擬屏煤礦模擬屏該技術(shù)性在應(yīng)用揮起源(電子束)將元素沉積在單晶硅片上的此外,用離子轟擊鍍層,以獲得比離子注入層更厚、比蒸發(fā)鍍膜法粘結(jié)力更高一些的使用性能非凡密度高的膜層。